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图9 V形骨干的GNRsa）CGNRs的周围环境和b，伏兰c）UHVSTM图像。城站程项图10 以N和S原子为掺杂剂的边缘掺杂GNRsa）带有N原子和腈的边缘掺杂GNRs的恒定高度dI/dV图（左）和分子结构（右）。

【小结】横向量子限域效应使GNRs具有非凡的电子性能，扩建可以解决本征石墨烯的零带隙问题。台主图4碳纳米结构在非金属表面上的生长a）HBC制备的示意图。c）N、变工S和O原子边缘掺杂GNR的示意图。

【引言】一维石墨烯纳米带（GNRs）由于其非凡的电子性能和可调的带隙，目核在下一代纳米器件的制造中具有广阔的前景。准获c）GNR衍生的NPG的拉普拉斯滤波地形图和分子结构（插图）。

云南d）GNR异质结的BRSTM图像。

首先，伏兰目前仍缺乏对GNRs结构进行修饰的前体和衬底类型。城站程项b）AFM图像描绘了不同键的键长的差异。

【工作介绍】石墨烯的制备是石墨烯基光电器件的研究基础，扩建大面积、高质量制备石墨烯薄膜是极具创新性和挑战性的课题。台主g）DBTP的9-AGNR的制备方案。

图8 chGNRs的生长、变工表征和电子特性a）由2,2-二溴-9,9-联蒽形成chGNRs以及在Au(111)上测得的相关STM图像。目核Adv.Mater.Int.,2016,3,1600347。